Транзистор – это полупроводниковый элемент, применяемый в схемах усиления, преобразования и генерирования электрических сигналов. Транзисторы широко используются как в аналоговых схемах, так и в цифровой электронике. Практически любая интегральная микросхема «прячет» в своем корпусе несколько транзисторов.

Рассмотрим устройство биполярного транзистора, в котором используются два типа носителей заряда (электроны и дырки). Основой для биполярного транзистора служит пластина полупроводника (база), на которой создается два р-n перехода. Толщина полупроводниковой пластины базы намного меньше, чем толщина эмиттера и коллектора. По типу проводимости биполярные транзисторы различают на транзисторы типа p-n-p (проводимость базы типа n) и n-p-n. В качестве материалов для изготовления биполярных транзисторов применяют германий и кремний (большинство имеют структуру типа n-p-n).



Работа биполярного транзистора, как и любого другого полупроводникового элемента, основана на взаимодействии различных носителей заряда: электронов и дырок. Принцип действия биполярного транзистора будем рассматривать на примере транзистора типа n-p-n.



При подключении источника питания только к эмиттеру и коллектору транзистора переход n-p (эмиттер-база) переходит в проводящее состояние (пропускает электроны слева-направо). Однако переход p-n (база-коллектор) будет закрыт, поэтому транзистор не будет проводить электрический ток. Существует понятие начального тока или тока насыщения, протекающего при закрытом транзисторе в результате нагрева полупроводникового элемента. Такое включение биполярного транзистора (с оборванной базой) практически не применяется. Для полного же функционирования транзистора необходим еще один источник питания.



Под действием напряжения Еб-э электроны из эмиттера (проводимость n-типа) устремятся в базу (проводимость р-типа). При этом электроны заполнят в базе все дырки и протекание тока базы. Как отмечалось ранее, размеры полупроводника базы значительно меньше, чем у коллектора и эмиттера, поэтому количество свободных дырок в базе также меньше свободных электронов в эмиттере и коллекторе. Электроны, для которых не хватило дырок в полупроводнике базы, стремятся к коллектору. Под действием напряжения Ек-э электроны преодолевают переход база-коллектор и через источник питания возвращаются в эмиттер. Из вышесказанного следует, что управление транзистором (перевод в проводящее состояние) осуществляется небольшим напряжением Еб-э.




Всего комментариев: 0



Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]


Новости сайта ukrelektrik.com


Последние статьи ukrelektrik.com


Последние ответы на форуме ukrelektrik.com

Электрическое отопление

Электроотопление
A_l_ik Multiki / 45